一般情況下，晶體管是以水平方式構(gòu)建，電流從一側(cè)橫向?qū)蛄硪粋?cè)。通過垂直傳輸場效應晶體管，實現(xiàn)了垂直構(gòu)建并將晶體管分層，允許電流在晶體管中上下流動，擺脫了過去橫向布局和電流導向的限制。技術(shù)人員通過放寬晶體管門長度、間隔厚度和觸點尺寸的物理限制，以解決縮放障礙，并在性能和功耗方面加以優(yōu)化。利用VTFET技術(shù)，不但能縮小芯片的面積，還能提高能效或提供更強的性能。
IBM和三星借助VTFET技術(shù)，向人們展示了CMOS半導體設計中，探索納米以外的縮放性能是可能的。VTFET技術(shù)解決了許多性能上的障礙和限制，擴展了摩爾定律，讓芯片設計人員可以在同樣的空間里放置更多的晶體管，實現(xiàn)更大的飛躍。在今年宣布制造出全球首款2nm制程節(jié)點的芯片后，IBM再次展示了在半導體方面的實力。
IBM與三星在過去的這段時間里展開了密切的合作，自2014年將晶圓廠賣給GlobalFoundries后，IBM已沒有了屬于自己的晶圓廠，所以芯片量產(chǎn)方面交予了三星負責。IBM計劃今年在旗下Power Systems服務器中使用其首款商用7nm工藝處理器IBM Power 10，支持PCIe Gen5和DDR5內(nèi)存，將由三星負責制造。此外，IBM在今年HotChips 33上公布的Z系列處理器“Telum”，也將采用了三星7nm工藝制造。